IXFK210N17T
IXFX210N17T
220
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
200
180
V GS = 10V
8V
7V
300
V GS = 10V
8V
7V
160
140
250
120
6V
200
100
80
60
150
100
6V
40
20
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
220
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 105A Value
vs. Junction Temperature
200
180
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.6
V GS = 10V
2.4
160
2.2
I D = 210A
140
120
100
80
60
6V
5V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 105A
1.0
40
20
0
0.8
0.6
0.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 105A Value
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.4
3.2
V GS = 10V
180
160
External Lead Current Limit
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
T J = 175oC
T J = 25oC
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF:F_210N17T(9W)4-02-09
相关PDF资料
IXFX24N100 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
IXFX250N10P MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
IXFX260N17T MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247
IXFX26N120P MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
IXFX32N50 MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
IXFX360N10T MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
IXFX48N60P MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
IXFX50N50 MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
相关代理商/技术参数
IXFX21N100F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX21N100Q 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX220N15P 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiperFET
IXFX220N17T2 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX230N20T 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX240N15T2 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXFX24N100 功能描述:MOSFET 24 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX24N100F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube